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Datasheet下载- 型号： VS-FB190SA10
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-FB190SA10由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-FB190SA10价格参考。VishayVS-FB190SA10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 底座安装 N 沟道 100V 190A 568W（Tc） SOT-227。您可以下载VS-FB190SA10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VS-FB190SA10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 VS-FB190SA10 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻和高效率的特点。其典型应用场景包括以下领域： 1. 开关电源 (SMPS)： 适用于 DC-DC 转换器、降压或升压转换器等开关电源电路中，作为主开关管或同步整流管使用。 2. 电机驱动： 用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，提供高效的开关性能和低功耗。 3. 负载切换： 在负载切换应用中，VS-FB190SA10 可以快速、可靠地开启或关闭负载电流，适用于消费电子和工业设备中的电源管理。 4. 电池管理系统 (BMS)： 用于锂电池保护电路或电池充放电管理，确保电池的安全运行并优化能量利用。 5. 逆变器与变频器： 在小型逆变器或变频器中，该器件可用于高频开关操作，实现高效的功率转换。 6. LED 驱动： 在 LED 照明应用中，作为开关元件用于恒流驱动电路，确保 LED 的稳定亮度和长寿命。 7. 汽车电子： 适合汽车内的低压电路控制，如电动窗、座椅调节、照明控制等，满足车规级可靠性需求（需确认具体车规认证）。 8. 消费类电子产品： 广泛应用于智能手机充电器、平板电脑适配器以及其他便携式设备的电源管理模块。 VS-FB190SA10 的低导通电阻 (Rds(on)) 和出色的热性能使其非常适合需要高效能和紧凑设计的应用场合。同时，其封装形式也便于 PCB 布局和散热管理。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227MOSFET 190 Amp 100 Volt |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 190 A |
| Id-连续漏极电流 | 190 A |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix VS-FB190SA10- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-FB190SA10VS-FB190SA10 |
| Pd-PowerDissipation | 568 W |
| Pd-功率耗散 | 568 W |
| Qg-GateCharge | 250 nC |
| Qg-栅极电荷 | 250 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 351 ns |
| 下降时间 | 335 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.35V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 180A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
| 其它名称 | FB190SA10 |
| 功率-最大值 | 568W |
| 功率耗散 | 568 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.4 mOhms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227-4 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 250 nC |
| 标准包装 | 160 |
| 正向跨导-最小值 | 93 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 190 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 190A |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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