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Datasheet下载- 型号： DMN2013UFDE-7
- 制造商： Diodes Inc.
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DMN2013UFDE-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2013UFDE-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2013UFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMN2013UFDE-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 10.5A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）。您可以下载DMN2013UFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2013UFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2013UFDE-7是一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的DC-DC转换器和电源开关，实现高效能与低功耗。 2. 负载开关控制：用于控制电池供电设备中的负载开关，实现快速启停和过流保护。 3. 马达驱动与继电器替代：在小型马达驱动电路或固态继电器中作为开关元件使用。 4. 工业控制与通信设备：用于工业自动化设备、路由器、交换机等设备中的电源控制与信号切换。 该器件采用小型DFN1006封装，导通电阻低、响应速度快，适合高密度、高效率的电路设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2013UFDE-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2453pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25.8nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 8.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | DMN2013UFDE-7DITR |
| 功率-最大值 | 660mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Ta） |
