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  • 型号: SI5459DU-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI5459DU-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5459DU-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5459DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5459DU-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 20V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single。您可以下载SI5459DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5459DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFETMOSFET 20V 8.0A 10.9W 52mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5459DU-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI5459DU-T1-GE3SI5459DU-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

10.9 W

Pd-功率耗散

10.9 W

Qg-GateCharge

17 nC

Qg-栅极电荷

17 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

52 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

52 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.4 V

上升时间

15 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

665pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

52 毫欧 @ 6.7A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® ChipFET 单通道

其它名称

SI5459DU-T1-GE3-ND
SI5459DU-T1-GE3TR
SI5459DUT1GE3

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

10.9W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® CHIPFET™ 单

封装/箱体

PowerPAK-8 ChipFET Single

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI5459DU-GE3

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