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Datasheet下载- 型号： SI5459DU-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI5459DU-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5459DU-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5459DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5459DU-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 20V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single。您可以下载SI5459DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5459DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI5459DU-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型TDFN-6封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源开关或负载开关，实现高效能、低功耗的电源管理。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器中用作同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；也可用于电压反转电路或OR-ing电路，实现多电源切换。 3. 热插拔与负载开关：适用于USB电源控制、SD卡接口电源管理等场景，提供过流保护和软启动功能，防止浪涌电流损坏系统。 4. 电机驱动与LED驱动：可用于小型直流电机控制或背光LED驱动电路，实现精确的开关控制。 5. 消费类电子产品：如无线耳机、移动电源、智能家居设备等，因其小封装和高可靠性，适合高密度PCB布局。 SI5459DU-T1-GE3具备良好的热性能和电气稳定性，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），符合RoHS环保标准，是高性能、紧凑型电源开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFETMOSFET 20V 8.0A 10.9W 52mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5459DU-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5459DU-T1-GE3SI5459DU-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 10.9 W |
| Pd-功率耗散 | 10.9 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 665pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 6.7A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFET 单通道 |
| 其它名称 | SI5459DU-T1-GE3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 10.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 单 |
| 封装/箱体 | PowerPAK-8 ChipFET Single |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5459DU-GE3 |
