Datasheet下载- 型号： IRF9Z30PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z30PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z30PBF价格参考。VishayIRF9Z30PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9Z30PBF是由Vishay Siliconix生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：IRF9Z30PBF适用于开关电源中的高频开关应用，能够高效地控制电压和电流的切换，提供稳定的电源输出。 2. 直流电机驱动：在小型直流电机驱动电路中，该MOSFET可以用作开关元件，通过PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。 3. 负载开关：在需要快速、低损耗地开启或关闭负载的应用中，IRF9Z30PBF可以作为高效的负载开关，减少功率损耗并提高系统效率。 4. 逆变器电路：用于小型逆变器设计，将直流电转换为交流电，支持家用电器或其他设备的供电需求。 5. 电池保护电路：在电池管理系统中，该器件可用于过流、过充或过放保护，确保电池安全运行。 6. 音频功放电路：在一些低功率音频放大器中，IRF9Z30PBF可以用作输出级开关元件，提供高质量的音频信号输出。 7. LED驱动：在高亮度LED驱动电路中，该MOSFET可以实现精确的电流控制，保证LED的亮度和寿命。 8. 继电器替代：由于其快速开关特性和低导通电阻，IRF9Z30PBF可以替代传统的机械继电器，用于需要频繁开关的场合。 总之，IRF9Z30PBF凭借其优良的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，适合各种需要高效功率管理的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 18A TO-220ABMOSFET P-Chan 50V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z30PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9Z30PBFIRF9Z30PBF |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 9.3A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9Z30PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 74W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 50 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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