Datasheet下载- 型号： SIE810DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE810DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE810DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE810DF-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE810DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE810DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE810DF-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理领域。其典型应用场景包括： 1. 负载开关与电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源切换控制，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电池供电系统：在电池管理系统（BMS）中用于控制充放电路径，保护电池免受过流与短路损害。 3. DC-DC 转换器与同步整流：适用于小型同步整流电路，提升转换效率，尤其在低电压输出场合表现优异。 4. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机控制或固态继电器，实现快速开关与低功耗运行。 5. 热插拔电路：在服务器与通信设备中，用于控制热插拔模块的电源接入，防止电流冲击。 该器件采用紧凑型 TSOP 封装，适合高密度 PCB 布局，工作温度范围宽（-55°C 至 150°C），适用于工业与消费类电子环境。其低栅极电荷（Qg）与快速开关特性，使其在高频应用中表现良好。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE810DF-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 25A, 10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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