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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA10DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA10DP-T1-GE3价格参考。VishaySIRA10DP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIRA10DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIRA10DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIRA10DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于多种电源管理和负载开关应用场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低能量损耗。 2. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于电池保护和电源切换控制。 3. 电机控制:用于小型电机、风扇或继电器的驱动控制,实现快速响应和高效能运行。 4. 负载开关与热插拔控制:在服务器、通信设备和工业控制系统中,作为高侧或低侧开关,实现对负载的精确控制和过流保护。 5. 汽车电子系统:如车载电源系统、LED 照明控制、车载充电器等,满足汽车应用中对可靠性和耐环境能力的要求。 SIRA10DP-T1-GE3 采用小型封装,适合高密度 PCB 设计,广泛应用于对空间和效率有较高要求的电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIRA10DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIRA10DP-T1-GE3SIRA10DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 15.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 15.4 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.2 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 2.2 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2425pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.7 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIRA10DP-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 40W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.7 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 30 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
系列 | SIRAxxDP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SIRA10DP-GE3 |