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Datasheet下载- 型号： IXFK24N100Q3
- 制造商： IXYS
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IXFK24N100Q3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK24N100Q3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK24N100Q3价格参考。IXYSIXFK24N100Q3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 1000V 24A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)。您可以下载IXFK24N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK24N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK24N100Q3是一款高压、大电流的N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有1000V的高漏源击穿电压和24A的连续漏极电流能力，具备优良的开关性能和耐高温特性，适用于高电压、高功率的应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 工业电源系统：广泛用于高压开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流装置中，作为主开关元件，支持高效能能量转换。 2. 电机驱动：适用于交流/直流电机控制电路，如变频器、伺服驱动器等，可在高电压环境下稳定工作，实现精确的功率控制。 3. 新能源领域：在太阳能逆变器和风能发电系统中，用于功率调节与逆变电路，支持高效率电能转换。 4. 高压脉冲与放电设备：如激光器驱动、医疗设备（X光机）、静电除尘等需要瞬间大电流和高耐压能力的场合。 5. 焊接设备：应用于IGBT或MOSFET组成的逆变焊机中，提供快速开关响应和高可靠性。 6. 测试仪器与电源模块：用于设计高电压测试负载、电子负载及模块化电源单元。 IXFK24N100Q3凭借其高耐压、强电流承载能力和良好的热稳定性，在要求严苛的工业与电力电子系统中表现出色，是高功率应用中的理想选择。使用时建议配合良好散热设计和驱动保护电路，以确保长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK24N100Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK24N100Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 1000 W |
| Pd-功率耗散 | 1 kW |
| Qg-GateCharge | 140 nC |
| Qg-栅极电荷 | 140 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 440 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 440 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 300 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 440 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 功率-最大值 | 1000W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 440 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 1 kV |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | IXFK24N100 |
| 配置 | Single |
