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FQA19N60产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA19N60由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA19N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQA19N60封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 18.5A(Tc) 300W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA19N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA19N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA19N60 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) - FQA19N60 的高电压耐受能力(600V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 可应用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及反激式转换器等。 2. 电机驱动 - 该器件适用于各种电机驱动场景,例如家用电器中的小型电机控制(如风扇、水泵)或工业设备中的大功率电机驱动。 - 其低导通电阻(Rds(on) = 0.45Ω @ Vgs=10V)有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,FQA19N60 可作为高效的开关元件,实现直流到交流的转换。 - 其快速开关特性和低开关损耗适合高频逆变器设计。 4. 负载开关 - 由于其低导通电阻和高电流承载能力(最大连续漏极电流 Id = 8.8A),FQA19N60 可用于负载开关电路,控制高功率负载的开启和关闭。 5. 电子镇流器与照明控制 - 在荧光灯电子镇流器或 LED 照明驱动电路中,该 MOSFET 可用于调节电流以实现亮度控制或调光功能。 6. PFC(功率因数校正)电路 - FQA19N60 的高电压和低损耗特性使其成为 PFC 电路中理想的开关元件,能够有效提升系统的功率因数和效率。 7. 电池管理系统 (BMS) - 在电动汽车或储能系统的电池管理中,该器件可用于保护电路,实现过流、短路保护以及电池充放电控制。 8. 继电器替代 - 在需要频繁开关的应用中,FQA19N60 可作为固态继电器使用,提供更长的使用寿命和更高的可靠性。 总结 FQA19N60 凭借其高电压、低导通电阻和优秀的开关性能,广泛应用于电力电子领域中的各种高效能、高可靠性的场景。无论是消费类电子产品还是工业设备,这款 MOSFET 都能提供出色的性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3PMOSFET 600V N-CH QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 18.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA19N60QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQA19N60 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 135 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 9.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 其它名称 | FQA19N60-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18.5A (Tc) |
| 系列 | FQA19N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQA19N60_NL |