Datasheet下载- 型号： SISA04DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SISA04DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SISA04DN-T1-GE3价格参考。VishaySISA04DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SISA04DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SISA04DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SISA04DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：该器件适用于DC-DC转换器、降压或升压电路中的开关元件，具有低导通电阻（Rds(on)），可有效降低功耗。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电流流向特定电路或模块。 - 电池管理系统：用于保护锂电池或其他电池组免受过流、短路等故障影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于驱动玩具、风扇等小型直流电机，通过PWM（脉宽调制）实现速度调节。 - H桥电路：与其他MOSFET配合使用，构建H桥以实现电机的正转和反转。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中作为信号路径的开关，切换不同的输入或输出源。 - 数据线路保护：用于USB端口或其他通信接口的过流保护和开关功能。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如LED照明控制、电动座椅调整、车窗升降等场景中作为功率开关。 - 逆变器：在电动车或混合动力车的逆变器中，参与将直流电转换为交流电以驱动电机。 5. 消费类电子产品 - 笔记本电脑与平板电脑：用于内部电源分配和管理。 - 智能手机充电电路：在快速充电方案中，充当电流路径的控制开关。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，用于驱动传感器或执行器。 - 继电器替代：由于其快速响应特性和长寿命，常用来替代传统机械继电器。 特点总结： - 低导通电阻（典型值为4.8mΩ）：减少传导损耗，提高效率。 - 高工作频率：适合高频开关应用。 - 紧凑封装（DFN2020-6）：节省PCB空间，便于小型化设计。 - 良好的热性能：有助于提升系统可靠性。 综上所述，SISA04DN-T1-GE3凭借其优异的电气特性和小型化设计，在消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SISA04DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SISA04DN-T1-GE3SISA04DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 22.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | + 20 V, - 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | + 20 V, - 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3595pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.15 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SISA04DN-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.15 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SISAxxDN |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SISA04DN-GE3 |
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