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  • 型号: BSC010NE2LSATMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC010NE2LSATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC010NE2LSATMA1价格参考。InfineonBSC010NE2LSATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 39A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8。您可以下载BSC010NE2LSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC010NE2LSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌)的BSC010NE2LSATMA1是一款N沟道功率MOSFET,属于增强型硅基MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。

主要应用场景包括:  
1. 电源转换系统:适用于服务器、通信设备和工业电源中的DC-DC转换器,因其低导通损耗可提升能效。  
2. 电动工具与电池管理系统:在锂电驱动设备中作为开关元件,支持高电流切换,有助于延长电池续航。  
3. 电机驱动:用于工业自动化和消费类电器中的小型电机控制,具备良好的热稳定性和快速响应能力。  
4. 照明电源:在LED驱动电源中实现高效恒流控制,适用于高亮度LED照明系统。  
5. 汽车电子辅助系统:虽非车规级主控器件,但可用于部分车载低压电源管理模块,如车身控制模块或车载充电器辅助电路。

BSC010NE2LSATMA1采用PG-TSDS-6封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,同时具备良好的散热性能。其100V耐压等级适用于中高压应用环境,结合低栅极电荷(Qg)特性,可显著降低开关损耗,提高系统整体效率。

综上,该MOSFET适用于对能效、空间和可靠性要求较高的工业、消费电子及部分汽车辅助电源场景。
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