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DMN6040SSS-13产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6040SSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6040SSS-13价格参考。Diodes Inc.DMN6040SSS-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 5.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO。您可以下载DMN6040SSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN6040SSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN6040SSS-13是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压(60V)和适中的电流承载能力,适合在中低功率电路中使用。 该器件典型应用包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电池供电系统中的开关元件,提高能效。 2. 负载开关:控制电机、LED灯、风扇等负载的开启与关闭,实现快速响应和低损耗。 3. 保护电路:作为电子开关用于过流、过压或反向电压保护电路中。 4. 工业控制:应用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业自动化设备中。 5. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板、充电器等便携设备中的电源切换与管理。 该MOSFET采用小型SOT23封装,节省空间,适合高密度PCB设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN6040SSS-13 |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1287pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 4.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMN6040SSS-13DITR |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Ta) |