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Datasheet下载- 型号： SSM3K15ACT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K15ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K15ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K15ACT(TPL3)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K15ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K15ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM3K15ACT(TPL3) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管，属于 FET、MOSFET - 单 类别，是一款 P沟道MOSFET，常用于低功耗、小型化电子设备中。 该器件主要应用于以下场景： 1. 电源管理电路：如DC-DC转换器、负载开关等，用于高效控制电源通断，适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理系统。 2. 电池供电设备：由于其低导通电阻和小封装，适合用于电池供电系统中，以提高能效并延长电池寿命。 3. 信号开关：可用于模拟或数字信号路径中的开关控制，常见于通信模块、传感器接口电路中。 4. 电机驱动与继电器替代：在小型电机控制或继电器替代电路中作为开关元件使用，适用于家电、办公设备和工业控制系统。 5. 汽车电子：如车载娱乐系统、ECU（电子控制单元）中的辅助电源开关或信号控制。 该MOSFET采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和快速开关性能，适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1BMOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15ACT |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K15ACT(TPL3)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K15ACT |
| 产品型号 | SSM3K15ACT(TPL3)SSM3K15ACT(TPL3) |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13.5pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | SSM3K15ACT(TPL3)TR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 封装/箱体 | CST-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 10,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
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