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  • 型号: SIHB22N60ET1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB22N60ET1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB22N60ET1-GE3价格参考。VishaySIHB22N60ET1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHB22N60ET1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHB22N60ET1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIHB22N60ET1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于功率场效应晶体管(FET),具有高耐压和大电流能力,适用于多种电源管理和功率转换场景。

该器件的主要应用场景包括:

1. 电源供应器:用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,实现高效的能量转换。
2. DC-DC 转换器:在各类电子设备中用于不同电压等级之间的高效直流变换。
3. 电机驱动电路:适用于工业自动化、电动工具和家电中的电机控制模块。
4. 逆变器系统:如UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等,作为功率开关使用。
5. 电池管理系统(BMS):用于电动车或储能系统中,控制充放电过程。
6. 负载开关与热插拔应用:可作为高效率的电子开关使用,控制高功率负载的通断。

其优势在于导通电阻低、开关速度快、热稳定性好,适合高频和高效率要求的应用环境。此外,该MOSFET采用表面贴装封装,便于自动化生产和节省空间设计。
产品参数 图文手册 常见问题
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