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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3717TRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3717TRRPBF价格参考。International RectifierIRLR3717TRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR3717TRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3717TRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRLR3717TRRPBF 的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关特性的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块,提升能效并减小体积。 2. 电机控制:在直流电机、步进电机或无刷电机驱动电路中作为开关元件,适用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制与保护电路,适用于电动车、储能系统和便携式设备。 4. 汽车电子:如车载充电器、电机驱动、车身控制模块等,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 消费电子产品:用于电源适配器、充电器、LED驱动等,因其低导通电阻和小封装,适合高密度设计。 该MOSFET采用Trench沟槽技术,具备低Rds(on)、高电流能力和良好热性能,适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 120A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR3717TRRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.45V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2830pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 6,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |