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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ14PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ14PBF价格参考。VishayIRLZ14PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLZ14PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ14PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRLZ14PBF 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on))、较高的耐压能力(如-100V)和良好的热稳定性,适用于多种电源管理和功率控制场合。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,用于提高转换效率并减小系统体积。 2. 电机控制:用于小型电机或马达的驱动与方向控制,尤其在需要快速开关的场合。 3. 电池供电设备:如便携式电子产品、电池管理系统(BMS),用于高效能开关和反向电流保护。 4. 汽车电子:如车身控制模块、车灯控制、继电器替代等,得益于其高可靠性和耐用性。 5. 工业控制:用于PLC、继电器驱动、传感器电源控制等工业自动化系统中。 6. 负载开关与电源分配:用于控制多个负载的通断,实现节能或故障隔离。 由于其P沟道特性,IRLZ14PBF在高边开关(High-side Switch)应用中尤为方便,无需额外的驱动电路即可实现电源侧的通断控制,广泛应用于各类低功耗、高效率的功率系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220ABMOSFET N-Chan 60V 10 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLZ14PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ14PBFIRLZ14PBF |
| Pd-PowerDissipation | 43 W |
| Pd-功率耗散 | 43 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 6A,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRLZ14PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 43W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |