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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA32P20T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA32P20T价格参考。IXYSIXTA32P20T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTA32P20T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTA32P20T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS的IXTA32P20T是一款单通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS): IXTA32P20T可用于开关电源中的高频开关,实现高效的电压转换。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用。 2. 电机驱动: 该MOSFET可作为电机驱动电路中的功率开关,用于控制直流电机或无刷直流电机的启停、速度调节和方向切换。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IXTA32P20T可用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量传输。 4. 负载开关: 由于其低导通电阻和高电流承载能力,这款MOSFET适合用作负载开关,以控制电路中不同负载的供电状态。 5. 电池管理系统 (BMS): 在电池保护电路中,IXTA32P20T可以用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。 6. 汽车电子: 该器件适用于汽车电子系统中的各种功率控制任务,如电动窗、座椅调节、灯光控制等。 7. 工业自动化: 在工业领域,IXTA32P20T可用于固态继电器、电磁阀驱动和其他需要高效功率切换的应用。 8. 消费电子产品: 它还可用于消费类电子产品的电源管理模块,例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电器中。 IXTA32P20T凭借其优良的电气性能和可靠性,能够满足上述应用场景对效率、稳定性和耐用性的要求。具体使用时,需根据实际需求选择合适的驱动电路和散热设计,以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 32A TO-263MOSFET TenchP Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA32P20TTrenchP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTA32P20T |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 185nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 130 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 (IXTA) |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |
| 系列 | IXTA32P20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |