Datasheet下载- 型号： STP10NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTP10NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP10NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP10NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP10NM60ND 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： STP10NM60ND 的高电压耐受能力（600V）和低导通电阻（典型值为 0.75Ω）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动： 该器件可用于小型电机驱动电路，尤其是在需要高电压驱动的场景中，如家用电器、电动工具或工业自动化设备中的电机控制。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STP10NM60ND 可作为开关元件，用于将直流电转换为交流电。 4. 电磁阀控制： 由于其能够承受较高的电压和电流（最大漏极电流可达 10A），该 MOSFET 适用于控制电磁阀的开闭，常见于汽车、工业设备和家用电器中。 5. 负载开关： 在需要高效切换大负载的应用中，STP10NM60ND 可用作负载开关，以实现对不同电路模块的快速开启和关闭。 6. 保护电路： 该器件可以用于过流保护、短路保护等电路设计中，利用其快速开关特性和低导通损耗来提高系统的可靠性和效率。 7. 汽车电子： STP10NM60ND 的高可靠性使其适合用于汽车电子系统，例如车窗升降器、座椅调节器或雨刷控制系统。 总之，STP10NM60ND 凭借其高电压、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于各种电力电子领域，特别是在需要高效能量转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP10NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 577pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-12276 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251384?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 系列 | STP10NM60ND |
| 配置 | Single |
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