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SI7848BDP-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7848BDP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7848BDP-T1-E3价格参考。VishaySI7848BDP-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 40V 47A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7848BDP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7848BDP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7848BDP-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET,属于高性能功率MOSFET产品系列。该器件采用先进的沟槽工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热稳定性,适用于多种高效率、小体积的电源管理应用。 主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的电源控制与保护电路;DC-DC转换器(如降压、升压及同步整流拓扑),用于提升转换效率;电机驱动电路,适用于小型直流电机或步进电机的控制;以及各类消费类电子产品和工业控制设备中的高密度电源模块。 SI7848BDP-T1-E3 采用薄型PowerPAK SO-8封装,占用PCB空间小,散热性能良好,适合对空间和功耗敏感的设计。其额定电压为30V,连续漏极电流可达19A,具备良好的电流处理能力,同时栅极电荷低,有助于减少开关损耗,提高系统能效。 此外,该MOSFET还广泛应用于热插拔控制器、LED驱动电路及电源多路复用等场景。凭借Vishay Siliconix在功率半导体领域的技术优势,SI7848BDP-T1-E3 在可靠性、耐用性和温度适应性方面表现优异,可在工业级温度范围内稳定工作,是现代高效能、小型化电子系统中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8MOSFET 40V 47A 36W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7848BDP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7848BDP-T1-E3SI7848BDP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.2 W |
| Pd-功率耗散 | 4.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7848BDP-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns, 30 ns |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 47A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7848BDP-E3 |