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2N7002T产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002T由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002T价格参考¥询价-¥询价。Fairchild Semiconductor2N7002T封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-523F。您可以下载2N7002T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002T是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括:电源管理开关、电池供电设备中的负载控制、LED驱动电路、小型电机控制以及信号切换等。由于其低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适合用于DC-DC转换器、电压调节模块等高效能转换场合。此外,2N7002T常被用作逻辑电平转换器,在微控制器与外围器件之间实现电平匹配。因其封装小巧(通常为SOT-23),非常适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、无线传感器和可穿戴设备。在工业控制领域,该器件也用于继电器驱动、输入/输出接口保护及小功率开关电路。总体而言,2N7002T凭借高可靠性、低成本和良好的电气性能,成为中小功率开关应用中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523FMOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor 2N7002T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002T |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7500 mOhms at 5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 50mA,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-523F |
| 其它名称 | 2N7002TDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12.5 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
| 封装/箱体 | SOT-523F-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115mA(Ta) |
| 系列 | 2N7002 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |