Datasheet下载- 型号： IPB16CN10N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB16CN10N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB16CN10N G价格参考。InfineonIPB16CN10N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB16CN10N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB16CN10N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPB16CN10N G是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： 该MOSFET适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式变换器。其低导通电阻（Rds(on)）和高开关频率特性使其成为高效功率转换的理想选择。 2. 电机驱动： IPB16CN10N G可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停、速度和方向。其耐压能力（高达100V）能够满足大多数低压电机应用需求。 3. 负载切换： 在汽车电子或工业控制系统中，这款MOSFET可以用于负载切换，例如控制灯泡、继电器或其他电子设备的开闭状态，提供稳定的电流输出并减少能量损耗。 4. 电池管理系统（BMS）： 它适合用于锂离子电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件，确保电池在安全电压范围内工作，同时支持快速响应以防止过流或短路。 5. LED驱动： 在大功率LED照明应用中，IPB16CN10N G可以用作PWM调光控制的开关器件，调节LED亮度的同时保持高效能。 6. 消费类电子产品： 如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等便携式设备中的功率管理模块，利用其紧凑封装（如TO-Leadless封装）实现小型化设计。 7. 工业自动化： 在可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口及执行器驱动等领域，该MOSFET凭借其可靠性与性能优势被广泛采用。 总之，IPB16CN10N G因其优异的电气参数和热性能，非常适合需要高效能、高可靠性的中低电压应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB16CN10NG.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca8ec4755 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB16CN10N G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 61µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.5 毫欧 @ 53A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | SP000096452 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 53A （Tc） |
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