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IRLR2705TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2705TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2705TRPBF价格参考。International RectifierIRLR2705TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR2705TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR2705TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR2705TRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),且为单通道设计。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: IRLR2705TRPBF 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动电路中,提供高效的开关性能和良好的热稳定性。 3. 负载开关: 在需要快速切换负载的应用中,IRLR2705TRPBF 可作为负载开关使用,确保系统在不同工作状态下的稳定运行。 4. 电池保护与管理: 该器件适合用作电池组中的保护开关,防止过流、短路等异常情况对电池造成损害。 5. 汽车电子: 在汽车电子领域,IRLR2705TRPBF 可应用于车身控制模块(BCM)、电动车窗、雨刷器控制系统以及 LED 照明驱动等场景。 6. 消费电子产品: 包括笔记本电脑适配器、智能手机充电器、平板电脑电源管理单元等,均可利用该 MOSFET 提高能效并降低发热量。 7. 工业自动化: 在工业领域,它可用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和其他需要高效功率转换的设备中。 总之,IRLR2705TRPBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛适用于需要高效功率转换和低功耗的各类电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 28A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR2705TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR2705TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 46 W |
| Pd-功率耗散 | 46 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 17A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRLR2705TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr2705.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr2705.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |