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Datasheet下载- 型号： TPC6110(TE85L,F,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC6110(TE85L,F,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC6110(TE85L,F,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC6110(TE85L,F,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC6110(TE85L,F,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC6110(TE85L,F,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPC6110（TE85L,F,M） 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET，属于 晶体管 - FET，MOSFET - 单 类别，是一款性能优良的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能与高稳定性的电子系统中。 该MOSFET主要适用于以下典型应用场景： 1. 电源管理电路：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于提高转换效率和降低功耗。 2. 电机驱动器：在直流电机或步进电机的控制电路中，作为高速开关使用。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的开启与关闭，如LED照明、风扇控制等。 4. 电池供电设备：便携式电子产品如笔记本电脑、移动电源中，用于提升能效和延长电池寿命。 5. 汽车电子系统：如车载充电器、车身控制模块等，满足车载环境对可靠性和稳定性的要求。 该器件采用低导通电阻（Rds(on)）设计，支持大电流通过，同时具备良好的热稳定性和封装散热性能，适合高密度、小型化设计需求。其封装形式为SOP（小外形封装），便于自动化贴装和节省PCB空间。 综上，TPC6110适用于对效率、空间和可靠性有较高要求的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPC6110点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TPC6110(TE85L,F,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 56 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | VS-6（2.9x2.8） |
| 其它名称 | TPC6110(TE85LFM) |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
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