Datasheet下载- 型号： DMN3026LVT-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3026LVT-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3026LVT-7价格参考。Diodes Inc.DMN3026LVT-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3026LVT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3026LVT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN3026LVT-7 是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于各类低电压、高效率的电子系统中。其主要应用场景包括便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源管理、电池开关和负载切换等电路，因其低导通电阻（RDS(on)）和小封装（如SOT-23），有助于节省空间并降低功耗。 此外，该器件适用于电源转换系统，例如DC-DC转换器和LDO稳压器中的同步整流或开关控制，提升整体能效。在热插拔电路和过流保护模块中，DMN3026LVT-7也常被用作电子开关，实现对电流路径的快速通断控制。由于其栅极阈值电压较低，适合3.3V或1.8V逻辑电平直接驱动，因此在微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）控制的I/O接口中也有广泛应用。 该MOSFET还常见于LED驱动电路中，作为恒流源的开关元件，实现精准亮度调节。工业控制、消费类电器和通信设备中的小型电机驱动、继电器替代方案（固态开关）也是其典型应用方向。凭借高可靠性与稳定的性能，DMN3026LVT-7在需要小型化和高效能的现代电子设计中具有重要地位。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN3026LVT-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 643pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 其它名称 | DMN3026LVT-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A （Ta） |
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