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Datasheet下载- 型号： IXFH20N80P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH20N80P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH20N80P价格参考。IXYSIXFH20N80P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 800V 20A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）。您可以下载IXFH20N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH20N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXFH20N80P是由IXYS公司生产的一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有以下特点和应用场景： 1. 电气特性 - 耐压：IXFH20N80P的最大漏源极击穿电压为800V，适用于高压应用场合。 - 导通电阻：其导通电阻较低，典型值为3.6Ω（在Vgs=10V时），有助于减少导通损耗，提高效率。 - 电流能力：最大漏极电流可达20A（在25°C时），适合大电流的应用场景。 2. 应用场景 IXFH20N80P广泛应用于需要高效、可靠电力转换和控制的领域，具体包括： - 开关电源（SMPS）：由于其高耐压和低导通电阻的特点，IXFH20N80P非常适合用于开关电源中的功率级开关，能够有效降低功耗并提高转换效率。 - 电机驱动：在工业自动化和消费电子中，电机驱动是常见的应用之一。IXFH20N80P可以用于驱动直流电机或步进电机，尤其是在需要频繁启停或调速的场合，如电动工具、家用电器等。 - 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IXFH20N80P可以作为主开关器件，负责将直流电转换为交流电，确保高效的能量转换。 - 不间断电源（UPS）：IXFH20N80P可用于UPS系统中的电池管理和功率调节，确保在市电中断时能够平稳切换到备用电源，并提供稳定的输出电压。 - 汽车电子：在汽车电子系统中，IXFH20N80P可以用于车载充电器、DC-DC转换器、LED驱动电路等，满足汽车环境中对高压和高可靠性的要求。 - 保护电路：IXFH20N80P还可以用于过流保护、短路保护等电路中，利用其快速开关特性和低导通电阻来实现高效的保护功能。 总之，IXFH20N80P凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子设备中，特别是在需要高压、大电流和高效能转换的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH20N80PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH20N80P |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Qg-GateCharge | 86 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4685pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHV |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 14 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | IXFH20N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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