Datasheet下载- 型号： SI4866DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4866DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4866DY-T1-E3价格参考。VishaySI4866DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4866DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4866DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SI4866DY-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，提供高效的功率转换。 - 负载开关：作为负载开关控制电路的通断，保护下游电路免受过流、短路等异常情况的影响。 - 线性稳压器：用作旁路开关或调节元件，提高电源系统的效率和稳定性。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，通过快速开关控制电机的启停、转速和方向。 - 在H桥电路中，作为核心开关器件实现电机的双向控制。 3. 电池管理系统（BMS） - 用于电池充放电路径的控制，确保电池安全运行。 - 在电池保护电路中，作为过流、过压或欠压保护的开关元件。 4. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于信号路径的切换。 - 用于音频信号切换，提供低失真的信号传输。 5. 便携式设备 - 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，作为高效功率开关。 - 用于USB端口的电源管理，支持快速充电功能。 6. 照明控制 - 在LED驱动电路中，作为开关或调光元件，实现精确的电流控制。 - 用于汽车照明系统，如车灯控制和氛围灯调光。 7. 通信设备 - 在基站、路由器等通信设备中，用于电源管理和信号切换。 - 作为射频前端的开关元件，支持高频信号的处理。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高系统效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小封装尺寸（如DFN封装）：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 - 出色的热性能：在高电流条件下保持稳定工作。 综上所述，SI4866DY-T1-E3凭借其高性能和可靠性，适用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOICMOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4866DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4866DY-T1-E3SI4866DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 17A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4866DY-T1-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4866DY-E3 |
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