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产品简介:
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Everspin Technologies Inc. 的 MR256A08BSO35R 是一款基于MRAM(磁阻随机存取存储器)技术的非易失性存储器,容量为256K × 8位,工作电压为3.3V,采用SOIC-8封装。该产品结合了高速读写、无限次擦写寿命和断电数据不丢失的特点,适用于对数据可靠性与实时性要求严苛的应用场景。 典型应用场景包括:工业自动化控制系统,用于在断电瞬间快速保存关键运行参数;嵌入式系统中替代传统SRAM加电池方案,实现免维护数据保持;网络通信设备中的高速缓存,确保配置信息和日志数据在突发断电时不会丢失;汽车电子系统,如ADAS(高级驾驶辅助系统)和车载黑匣子,用于持久记录传感器数据和事件信息;以及医疗设备中需要高可靠性和长期数据保存的场合。 此外,由于其抗辐射、耐高低温等特性,MR256A08BSO35R也适用于航空航天和军事领域。相比Flash和EEPROM,它无需写入延迟,支持字节级写入,极大提升了系统响应速度和耐久性。总体而言,该型号广泛应用于需要高速、高耐久、非易失性存储的工业、通信、汽车和高端嵌入式系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC MRAM 256KBIT 35NS 32SOIC |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Everspin Technologies Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MR256A08BSO35R |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 32-SOIC |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | MRAM(磁阻 RAM) |
存储容量 | 256K (32K x 8) |
封装/外壳 | 32-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
速度 | 35ns |