Datasheet下载- 型号： IRF7322D1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7322D1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7322D1PBF价格参考。International RectifierIRF7322D1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7322D1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7322D1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF7322D1PBF的器件是一款双N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件常用于需要高效、低导通电阻和高频率开关特性的应用场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理电路中，因其低导通电阻（Rds(on)）可提高能效，减少发热。 2. 电机控制：在直流电机或步进电机驱动电路中，作为高效开关元件使用，适用于工业自动化、机器人及电动工具等领域。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动车辆或储能系统中，作为充放电控制开关，实现高效能量管理。 4. 负载开关与热插拔控制：在服务器、通信设备中，用于控制电源的通断，防止浪涌电流，保护系统稳定。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块，实现节能与高效运行。 该器件采用8引脚SOIC封装，具有较高的集成度和散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于中高功率的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOICMOSFET 20V FETKY 12 VGS 98 RDS 2.7VmOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7322D1PBFFETKY™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7322D1PBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 62 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 62 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.7 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 49 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 62 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 62 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 5.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 5.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
