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  • 型号: NTJD5121NT2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD5121NT2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD5121NT2G价格参考。ON SemiconductorNTJD5121NT2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 295mA 250mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD5121NT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD5121NT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

295 mA

Id-连续漏极电流

295 mA

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJD5121NT2G-

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产品型号

NTJD5121NT2G

Pd-PowerDissipation

0.25 W

Pd-功率耗散

250 mW

Qg-GateCharge

0.9 nC

Qg-栅极电荷

0.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.6 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

34 ns

下降时间

32 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

26pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.6 欧姆 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

典型关闭延迟时间

34 ns

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

80 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

295mA

系列

NTJD5121N

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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