Datasheet下载- 型号： STB12NM50FDT4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB12NM50FDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB12NM50FDT4价格参考。STMicroelectronicsSTB12NM50FDT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB12NM50FDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB12NM50FDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB12NM50FDT4是一款N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力，广泛应用于需要高效能功率管理的场景。该器件耐压达500V，适合用于电源转换、电机控制和负载开关等高电压高电流环境。 在电源管理领域，该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器中，作为主开关元件，提升能源转换效率并减少能量损耗。其高耐压特性使其适合用于高输入电压的应用，如工业电源和光伏逆变系统。 在电机控制方面，STB12NM50FDT4适用于无刷直流电机（BLDC）驱动和变频器系统，能够承受较高的开关频率和负载波动，提升系统稳定性和响应速度。此外，该器件也适用于家电中的功率控制，如电磁炉、洗衣机和空调等产品中的功率开关模块。 该MOSFET采用TO-252封装，便于散热和安装，适用于中高功率级别的设计。其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通损耗，提高系统效率，适合节能和紧凑型设计需求。 总之，STB12NM50FDT4适用于工业电源、电机驱动、家电功率控制及新能源系统等高电压、中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB12NM50FDT4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-5380-6 |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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