Datasheet下载- 型号： SI5499DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5499DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5499DC-T1-E3价格参考。VishaySI5499DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5499DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5499DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5499DC-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件封装小巧，适合对空间有要求的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑及智能手机等便携设备中的 DC-DC 转换器和负载开关，实现高效的电能分配与管理。 2. 电池供电系统：在电池管理系统（BMS）中用作高侧或低侧开关，控制电池充放电路径，提高系统安全性与效率。 3. 电机驱动与负载控制：用于小型电机、继电器或 LED 照明的开关控制，具备快速响应和低导通电阻特性，有助于减少功耗。 4. 工业自动化设备：作为功率开关应用于工业控制系统中，如PLC模块、传感器供电控制等，具备良好的稳定性和耐用性。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）等场景，满足汽车环境对可靠性和温度范围的要求。 SI5499DC-T1-E3 凭借其高性能与小尺寸封装，广泛应用于各类消费类电子产品、工业设备及汽车系统中，是理想的功率开关器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5499DC-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1290pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5499DC-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 6.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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