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Datasheet下载- 型号： PMEG3020EH,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMEG3020EH,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG3020EH,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG3020EH,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG3020EH,115封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 30V 2A（DC） SOD-123F。您可以下载PMEG3020EH,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG3020EH,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PMEG3020EH,115 是一款低压、高效率的肖特基势垒整流二极管（单管），采用SOD-123表面贴装封装。其典型参数包括：最大反向电压（VR）30 V，最大平均正向电流（IF(AV)）2 A，超低正向压降（VF ≈ 0.45 V @ 2 A，25°C），以及快速开关特性（反向恢复时间近乎为零）。 该器件主要应用于对能效、热性能和空间有严苛要求的低压直流电源路径管理场景，典型应用包括： - 便携式电子设备电源整流：如智能手机、TWS耳机、智能手表等内部LDO前级或电池充放电路径中的防反接与高效整流； - DC-DC转换器输出整流：尤其适用于同步整流难以实现的小功率Buck电路次级侧，提升轻载效率； - USB供电（USB PD）相关电路：用于VBUS路径的过压/反向保护辅助整流，或Type-C接口中的电源切换与隔离； - 工业与物联网传感器节点：在电池供电的微功耗系统中，降低导通损耗以延长续航； - LED驱动与低噪声电源轨：利用其低VF和无反向恢复电荷（Qrr≈0）特性，减少EMI，提升系统稳定性。 因其小尺寸（SOD-123）、高可靠性（AEC-Q101兼容）及优异热性能，亦适用于空间受限且需长期稳定运行的消费类与工业嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD123F肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 2A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG3020EH,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG3020EH,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 620mV @ 2A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 72pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-4129-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1000 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 9 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.62 V |
| 正向连续电流 | 2 A |
| 热阻 | 60°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 2A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG3020EH T/R |
