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  • 型号: IXFK360N10T
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK360N10T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK360N10T价格参考。IXYSIXFK360N10T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK360N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK360N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

360 A

Id-连续漏极电流

360 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFK360N10TGigaMOS™ HiPerFET™

数据手册

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产品型号

IXFK360N10T

Pd-PowerDissipation

1250 W

Pd-功率耗散

1.25 kW

Qg-GateCharge

525 nC

Qg-栅极电荷

525 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V to 4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V to 4.5 V

上升时间

100 ns

下降时间

160 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 3mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

33000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

525nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.9 毫欧 @ 100A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-264AA (IXFK)

典型关闭延迟时间

80 ns

功率-最大值

1250W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

HiPerFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

2.9 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

TO-264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

正向跨导-最小值

180 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

360 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

360A (Tc)

系列

IXFK360N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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