Datasheet下载- 型号： IXFK360N10T
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK360N10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK360N10T价格参考。IXYSIXFK360N10T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK360N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK360N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK360N10T是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流、低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛应用于需要高效能功率控制的场景。典型应用包括大功率开关电源（如服务器电源、工业电源模块）、直流-直流转换器以及电机驱动系统。由于其耐高压（100V）和大电流（持续漏极电流可达360A），特别适用于高负载工况下的电力转换与控制。 此外，IXFK360N10T常用于逆变器设备，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），在这些系统中实现高效的能量转换和稳定的输出控制。其优良的热稳定性和快速响应特性也使其适合高频开关应用，提升整体系统效率。在工业自动化领域，该MOSFET可用于驱动大功率电磁阀、加热元件或作为高电流开关元件。 由于具备较高的雪崩能量承受能力，IXFK360N10T在存在电压瞬变或感性负载的环境中表现可靠，适用于电焊机、电动工具电源模块等严苛工况。同时，其TO-264封装形式有助于良好散热，适应紧凑型高功率密度设计需求。 总之，IXFK360N10T凭借其高电流容量、耐压能力和稳定性，广泛应用于工业电力控制、新能源转换、大功率电源及电机驱动等关键领域，是高性能功率管理系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 360A TO-264MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 360 A |
| Id-连续漏极电流 | 360 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK360N10TGigaMOS™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK360N10T |
| Pd-PowerDissipation | 1250 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Qg-GateCharge | 525 nC |
| Qg-栅极电荷 | 525 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V to 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V to 4.5 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 160 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 3mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 33000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 525nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.9 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.9 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 180 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 360 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 360A （Tc） |
| 系列 | IXFK360N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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