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Datasheet下载- 型号： IRFR9N20DTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9N20DTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9N20DTRPBF价格参考￥2.78-￥3.60。International RectifierIRFR9N20DTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR9N20DTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9N20DTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR9N20DTRPBF 是一款P沟道MOSFET，具有200V耐压、9A连续漏极电流（ID）和低导通电阻特性，适用于高效率开关应用。该器件广泛应用于电源管理与功率控制领域。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换器中作为主开关或同步整流元件，提升转换效率。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具或家用电器的直流电机控制电路中，实现高效启停与调速。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器或UPS不间断电源中，用于功率级切换，提高系统能效。 4. 电池管理系统（BMS）：在高侧或低侧开关配置中用于电池充放电控制与保护。 5. LED照明驱动：用于恒流驱动电路中的开关调节，支持高亮度LED稳定工作。 其D²PAK（TO-263）封装具备优良的散热性能，适合中高功率密度设计。内置快速恢复体二极管，可有效应对反向电流冲击，提升系统可靠性。IRFR9N20DTRPBF符合RoHS标准，无铅环保，适用于工业、消费类及汽车辅助系统等对可靠性和效率要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR9N20DTRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR9N20DTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Tc） |
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