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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807VD2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807VD2PBF价格参考。International RectifierIRF7807VD2PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7807VD2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807VD2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7807VD2PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于开关模式电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动:在小型直流电机控制中,IRF7807VD2PBF可以用作开关器件,实现对电机速度和方向的精确控制。它适合应用于风扇、泵、玩具电机等场景。 3. 负载开关:作为负载开关使用时,它可以快速切换电路的通断状态,同时保持较低的电压降,确保后端负载设备正常运行。 4. 电池管理:在便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑和智能手机)的电池管理系统中,这款MOSFET可用于充放电路径控制以及过流保护等功能。 5. LED驱动:对于高亮度LED照明系统,该器件可以提供稳定电流输出以调节亮度,并支持调光操作。 6. 信号放大与缓冲:利用其良好的线性区特性,在某些模拟电路设计中也可用作信号放大器或者缓冲器。 7. 汽车电子:尽管具体耐受能力需根据实际规格确认,但类似产品常被用于汽车内部各种辅助系统的电力传输控制,比如电动车窗、雨刷器等。 总之,凭借其出色的电气性能参数(如低导通电阻、较高的漏源击穿电压V(BR)DSS及较大连续漏极电流ID),IRF7807VD2PBF非常适合需要高效能量转换和精确控制的各种消费类电子产品、工业设备以及交通运输工具中的相关应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7807VD2PBF |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | FETKY™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 95 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7807vd2.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7807vd2.spi |