Datasheet下载- 型号： FQD2N100TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N100TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N100TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N100TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD2N100TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N100TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N100TF 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） FQD2N100TF 具有高达 100V 的耐压能力，适用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电压和电流的切换，适合用于 DC-DC 转换器、反激式转换器和正激式转换器等电路。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于低功率至中功率电机驱动电路中，作为开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗并提高效率。 3. 负载开关 在需要快速切换负载的应用中，例如电池供电设备或汽车电子系统中，FQD2N100TF 可用作负载开关，实现对负载的精确控制。 4. 电磁阀和继电器驱动 由于其高耐压特性和良好的开关性能，FQD2N100TF 可用于驱动电磁阀和继电器，确保这些器件在高压环境下的可靠运行。 5. 逆变器和太阳能微逆变器 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，这款 MOSFET 可以用作功率级开关，将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效能量转换。 6. 保护电路 FQD2N100TF 还可以应用于过流保护、短路保护等电路中，通过快速响应和切断电流来保护其他敏感电子元件。 7. 音频放大器 在某些音频放大器设计中，这款 MOSFET 可用作输出级开关，提供稳定的功率输出并减少失真。 总结来说，FQD2N100TF 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛适用于各种工业、消费类和汽车电子领域的功率管理与控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD2N100TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 800mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Tc） |
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