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FDME820NZT产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDME820NZT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDME820NZT价格参考。Fairchild SemiconductorFDME820NZT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 9A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型。您可以下载FDME820NZT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDME820NZT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDME820NZT 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: FDME820NZT 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电池充电器等。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效降低功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动: 该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,能够提供高效的开关性能和良好的热稳定性,支持高频率切换。 3. 负载开关: 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑或其他便携式设备,可以用作负载开关以实现快速开启/关闭功能,并减少待机功耗。 4. 电池保护: 用于锂离子电池组的过充、过放及短路保护电路中,确保电池安全运行并延长使用寿命。 5. 信号切换与隔离: 在通信系统或工业自动化领域,可用于信号路径的选择性切换以及输入输出端口之间的电气隔离。 6. 汽车电子: 在汽车环境中,例如车身控制模块 (BCM)、LED 照明控制系统或辅助驾驶系统的供电部分,也能发挥重要作用。它具备较强的抗干扰能力和环境适应性。 总之,FDME820NZT 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费类电子产品、计算机外设、通信设备、工业控制以及汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
Id-连续漏极电流 | 9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDME820NZTPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDME820NZT |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 865pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 9A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | MicroFet 1.6x1.6 |
其它名称 | FDME820NZT-ND |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | MicroFET-6 1.6x1.6 Thin |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |
系列 | FDME820NZT |