| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3105TRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3105TRLPBF价格参考。International RectifierIRLR3105TRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR3105TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3105TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRLR3105TRLPBF 是一款 N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、快速开关特性的场合。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机控制:常用于直流电机驱动、电动工具、电动车控制器等场景,具备良好的电流承载能力和快速响应特性,适合PWM调速控制。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关用于控制电源分配,如电池管理系统(BMS)中的开关元件。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中用于电能转换,支持高频开关操作,提升系统效率。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载电源系统、车身控制模块、车载充电器等汽车应用环境。 该MOSFET采用TSOP封装,适合表面贴装,适用于自动化生产,具备良好的热稳定性和可靠性,广泛用于工业控制、消费电子及汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAKMOSFET MOSFT 55V 25A 37mOhm 13.3nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3105TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3105TRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 57 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 37 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 37 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 25 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
| 配置 | Single |