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Datasheet下载- 型号： STB45N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STB45N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB45N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB45N65M5价格参考￥18.41-￥18.41。STMicroelectronicsSTB45N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 650V 35A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB45N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB45N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STB45N65M5的MOSFET，属于高压、大电流功率场效应晶体管，主要应用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中。该器件采用先进的超级结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热性能，适用于多种高效率电源拓扑结构。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效率AC-DC转换器中，尤其在PFC（功率因数校正）电路中表现优异，有助于提升整体能效并满足能源标准。 2. 照明电源：适用于LED驱动电源，如户外照明、商业照明等大功率LED应用，提供稳定高效的直流供电。 3. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中的DC-AC逆变环节中作为核心开关器件，提高能量转换效率。 4. 电机驱动：可用于工业控制中的中小功率电机驱动电路，实现节能与小型化设计。 5. 充电设备：如电动汽车充电桩、工业电池充电器等高功率充电系统中，支持快速响应与高可靠性运行。 STB45N65M5具备650V的漏源击穿电压和高达45A的连续漏极电流能力，结合低开关损耗，特别适合在高频工作条件下使用，有助于减小磁性元件体积，提升系统功率密度。其封装形式（如TO-220或TO-247）便于散热设计，适用于对温升敏感的应用环境。 综上，STB45N65M5是一款面向高效率、高功率密度电源系统的理想选择，广泛应用于工业、能源、通信和消费类电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 650V 35A D2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB45N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB45N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 78 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 78 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3375pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 19.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-12940-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253426?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | STB45N65M5 |
