【未分类_CMPDM203NH TR】封装/厂家_CMPDM203NH TR中文资料_价格

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型号： CMPDM203NH TR
制造商： Central Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CMPDM203NH TR由Central Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMPDM203NH TR价格参考。Central SemiconductorCMPDM203NH TR封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CMPDM203NH TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CMPDM203NH TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Central Semiconductor Corp的型号为CMPDM203NH TR的MOSFET属于功率场效应晶体管（FET），适用于需要高效能和高可靠性的电子电路中。其应用场景主要包括以下几个方面：

1. 电源管理：该MOSFET可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块，实现高效的能量转换和稳定的电压输出。

2. 电机控制：在直流电机驱动器或步进电机控制系统中，CMPDM203NH TR可作为功率开关，用于控制电机的启停、转速和方向。

3. 负载开关：适用于电池供电设备中的负载切换，如笔记本电脑、平板电脑和智能手持设备，有助于降低待机功耗。

4. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）或传感器模块中，用于高速开关和功率控制。

5. 汽车电子：该器件可应用于车载电源系统、LED照明驱动或车载充电器中，满足汽车环境中对稳定性和耐用性的要求。

6. 消费类电子产品：如智能家电、电源适配器和充电器中，用于提升能效和减小产品体积。

该MOSFET采用表面贴装封装，适合自动化生产，具备良好的热稳定性和导通性能，适用于中高功率应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	3.2 A
Id-连续漏极电流	3.2 A
品牌	Central Semiconductor
产品目录	半导体
描述	MOSFET SMD Small Signal Mosfet
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Central Semiconductor CMPDM203NH TR
产品型号	CMPDM203NH TR
Pd-PowerDissipation	350 mW
Pd-功率耗散	350 mW
Qg-GateCharge	6.8 nC
Qg-栅极电荷	6.8 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	46 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	46 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.2 V
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	22.8 ns
商标	Central Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	SOT-23F-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	10.5 S
系列	CMPDM203NH
通道模式	Enhancement
配置	Single

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