Datasheet下载- 型号： NTD4813N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4813N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4813N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4813N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4813N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4813N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4813N-1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和快速开关性能的电源管理场景。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关与负载控制，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理电路；各类DC-DC转换器，如降压（Buck）和升压（Boost）变换器，用于提高电源转换效率；电机驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机的控制，常见于家电、电动工具和工业控制设备中；此外，还可用于LED驱动电路、热插拔控制器以及过流保护电路等功率开关场合。 NTD4813N-1G具有低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提升系统能效。其SOT-223封装形式具备良好的散热性能，适合在空间受限但需一定功率处理能力的环境中使用。由于其高可靠性与稳定性，也适用于汽车电子中的辅助电源系统和车载设备。 综上，NTD4813N-1G是一款适用于消费电子、工业控制、汽车电子及电源管理系统的高性能MOSFET，特别适合中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4813N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.27W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Ta）， 40A （Tc） |
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