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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7201TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7201TRPBF价格参考。International RectifierIRF7201TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7201TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7201TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRF7201TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其应用场景广泛,主要适用于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): IRF7201TRPBF具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用作开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电压和电流的转换,应用于适配器、充电器以及DC-DC转换器中。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,实现对电机速度和方向的精确控制。其低导通电阻可减少能量损耗,提高系统效率。 3. 负载开关: 在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,IRF7201TRPBF可用作负载开关,用于动态管理不同模块的供电状态,从而降低功耗并延长电池寿命。 4. LED驱动: 它适用于大功率LED照明系统的驱动电路,提供稳定的电流输出以确保LED亮度一致,并支持调光功能。 5. 电池管理系统(BMS): 在锂电池保护板或其他电池管理系统中,该MOSFET可以用作充放电路径上的开关元件,防止过充、过放及短路等情况发生。 6. 逆变器与太阳能微逆变器: IRF7201TRPBF可以用于小型逆变器或太阳能微逆变器中,将直流电转换为交流电,支持可再生能源的应用。 7. 信号放大与缓冲: 在某些音频设备或工业控制应用中,这款MOSFET也可以用作信号放大或缓冲器件,提升信号强度和传输距离。 综上所述,IRF7201TRPBF凭借其优良的电气性能和可靠性,非常适合于需要高效功率转换、低损耗以及高频率操作的各种电子设备和系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 550 pF |
描述 | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7201TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7201TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 28 nC |
Qg-栅极电荷 | 19 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 7.3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7201PBFTR |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
正向跨导-最小值 | 5.8 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Tc) |
配置 | Single |