Datasheet下载- 型号： SSR1N60BTM_F080
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSR1N60BTM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSR1N60BTM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorSSR1N60BTM_F080封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSR1N60BTM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSR1N60BTM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSR1N60BTM_F080 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件具有600V的漏源击穿电压和较低的导通电阻，适用于中高功率开关应用。 该型号常用于以下应用场景： 1. 电源转换设备：如AC/DC、DC/DC转换器中，作为高频开关元件使用，提高转换效率并减小体积。 2. 电机驱动电路：用于电动工具、家用电器或工业自动化设备中的电机控制模块。 3. 照明系统：包括LED驱动电源及智能照明控制系统，实现高效能与调光功能。 4. 消费类电子产品：如电视、音响等设备的电源管理部分。 5. 工业控制系统：在变频器、逆变器或不间断电源（UPS）中担任关键开关角色。 其封装形式为TO-220F，便于散热，适合需要稳定性和可靠性的工业级应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，提升了整体系统的耐用性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSR1N60BTM_F080 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 215pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 欧姆 @ 450mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Tc） |
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