Datasheet下载- 型号： IRL1004SPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL1004SPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL1004SPBF价格参考。International RectifierIRL1004SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL1004SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL1004SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRL1004SPBF的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，是一款N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 IRL1004SPBF的主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效的能量转换，适用于服务器、通信设备及工业控制系统。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和低导通电阻，提高系统效率。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件等，具备低损耗和高可靠性。 4. 电池管理系统：应用于电池充放电保护电路中，作为主开关器件，确保系统安全运行。 5. 汽车电子：由于其高可靠性和符合工业标准，也可用于汽车中的辅助电机驱动、车身控制模块等场景。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于减小系统损耗和提升整体能效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAKMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL1004SPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL1004SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 66.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 66.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRL1004SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 63 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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