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  • 型号: PSMN017-30EL,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-30EL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-30EL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-30EL,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN017-30EL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN017-30EL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN017-30EL,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高耐压(30V)以及优异的热稳定性,适用于高效率、高密度电源设计。

该器件常见于以下应用场景:

1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理电路,适合便携式设备和电源模块。

2. 电机驱动电路:用于小型电机、风扇或执行器的控制,提供快速开关和低损耗性能。

3. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中作为高效负载开关使用。

4. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动及车载充电器等场景。

5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理模块。

该MOSFET采用TSON1215-8封装,具备良好散热性能,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。其高可靠性和紧凑设计使其成为高功率密度应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH LL 30V I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN017-30EL,127

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

552pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

568-9505-5
934066819127
PSMN01730EL127

功率-最大值

47W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A (Ta)

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