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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-30EL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-30EL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-30EL,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN017-30EL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN017-30EL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN017-30EL,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高耐压(30V)以及优异的热稳定性,适用于高效率、高密度电源设计。 该器件常见于以下应用场景: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理电路,适合便携式设备和电源模块。 2. 电机驱动电路:用于小型电机、风扇或执行器的控制,提供快速开关和低损耗性能。 3. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中作为高效负载开关使用。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动及车载充电器等场景。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理模块。 该MOSFET采用TSON1215-8封装,具备良好散热性能,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。其高可靠性和紧凑设计使其成为高功率密度应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH LL 30V I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PSMN017-30EL,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 552pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 10A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9505-5 |
| 功率-最大值 | 47W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Ta) |