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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9230-55A,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9230-55A,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK9230-55A,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9230-55A,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9230-55A,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的BUK9230-55A,118是一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关,支持高效能电能转换与分配。 2. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车身控制模块等场景。 3. 工业控制:用于工业自动化设备、电机驱动及电源逆变器,具备高耐用性和稳定性。 4. 消费电子:应用于笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源开关与负载管理。 5. 绿色能源:适用于太阳能逆变器、储能系统等低功耗高效率要求的场景。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力及优异的热稳定性,适合高频率开关操作,提升整体系统效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 38A DPAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
Id-连续漏极电流 | 38 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9230-55A,118TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK9230-55A,118 |
Pd-PowerDissipation | 88 W |
Pd-功率耗散 | 88 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 125 ns |
下降时间 | 68 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1725pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFETs - Arrays |
供应商器件封装 | DPAK |
其它名称 | 934056243118 |
典型关闭延迟时间 | 64 ns |
功率-最大值 | 88W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | SOT-428-3 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | /T3 BUK9230-55A |