Datasheet下载- 型号： STB3N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB3N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB3N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTB3N62K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB3N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB3N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB3N62K3是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器，因其具备高耐压（620V）和低导通电阻特性，可提高能效并减少发热。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，用于控制直流电机或步进电机的启停与调速，具有良好的动态响应和负载能力。 3. 照明系统：用于LED照明驱动电路，尤其在高亮度LED应用中，提供稳定电流控制和高效能转换。 4. 消费电子：如电视、音响设备和智能家电中，用于电源开关和负载管理，提升整体系统效率。 5. 工业控制：应用于工业自动化设备中的功率开关，如PLC模块、继电器驱动和传感器供电系统。 6. 新能源领域：如太阳能逆变器和储能系统中，作为关键功率开关器件，实现能量的高效转换与管理。 该器件采用D²PAK封装，便于散热和安装，适合高功率密度设计。其高可靠性和优异的热性能使其在多种严苛环境下都能稳定工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAKMOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB3N62K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB3N62K3 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 6.8 ns |
| 下降时间 | 15.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 385pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-8476-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF216750?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 620 V |
| 漏极连续电流 | 2.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Tc） |
| 系列 | STB3N62K3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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