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FQPF70N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF70N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF70N10价格参考¥17.19-¥39.61。Fairchild SemiconductorFQPF70N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 62W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF70N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF70N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF70N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FQPF70N10 的低导通电阻(典型值为 30 mΩ)和高击穿电压(100 V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的开断。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中用作主开关器件,提供高效的电压转换。 - 负载切换:用于需要快速切换负载的应用,例如电池管理系统中的负载保护。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于驱动小功率直流电机或步进电机,通过 PWM 控制实现速度调节和方向控制。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向控制电机的旋转方向。 3. 工业自动化 - 固态继电器 (SSR):替代传统的机械继电器,用于工业设备中的信号隔离和开关控制。 - 传感器接口:在工业传感器应用中,用作信号放大或驱动外部负载的开关。 4. 消费电子 - 家电控制:如冰箱、空调等家电中的风扇控制、压缩机启动等场景。 - 充电器和适配器:在便携式设备的充电器中用作功率开关,确保高效能量传输。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:用于车灯控制、雨刷电机驱动、座椅加热等功能模块。 - 逆变器:在电动汽车或混合动力汽车中,可能用于辅助系统的逆变器电路。 6. 通信设备 - 基站电源:在通信基站的电源模块中用作功率开关,支持稳定供电。 - 信号放大器:在某些射频或音频放大器中,作为功率级输出元件。 7. 其他应用 - 太阳能微逆变器:用于小型光伏系统中的功率转换。 - LED 驱动器:在高亮度 LED 照明中,用作恒流源的开关元件。 FQPF70N10 凭借其出色的电气性能(如低 Rds(on)、高耐压、低栅极电荷等),能够在多种应用中提供高效、可靠的解决方案。选择具体应用场景时,需根据实际需求评估其工作条件是否符合器件规格书的要求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FMOSFET 100V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
Id-连续漏极电流 | 35 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF70N10QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQPF70N10 |
Pd-PowerDissipation | 62 W |
Pd-功率耗散 | 62 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 470 ns |
下降时间 | 160 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 17.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
典型关闭延迟时间 | 130 ns |
功率-最大值 | 62W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 38 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |
系列 | FQPF70N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQPF70N10_NL |