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  • 型号: FQPF70N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQPF70N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF70N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF70N10价格参考¥17.19-¥39.61。Fairchild SemiconductorFQPF70N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 62W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF70N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF70N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF70N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FQPF70N10 的低导通电阻(典型值为 30 mΩ)和高击穿电压(100 V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的开断。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中用作主开关器件,提供高效的电压转换。
   - 负载切换:用于需要快速切换负载的应用,例如电池管理系统中的负载保护。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于驱动小功率直流电机或步进电机,通过 PWM 控制实现速度调节和方向控制。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向控制电机的旋转方向。

 3. 工业自动化
   - 固态继电器 (SSR):替代传统的机械继电器,用于工业设备中的信号隔离和开关控制。
   - 传感器接口:在工业传感器应用中,用作信号放大或驱动外部负载的开关。

 4. 消费电子
   - 家电控制:如冰箱、空调等家电中的风扇控制、压缩机启动等场景。
   - 充电器和适配器:在便携式设备的充电器中用作功率开关,确保高效能量传输。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:用于车灯控制、雨刷电机驱动、座椅加热等功能模块。
   - 逆变器:在电动汽车或混合动力汽车中,可能用于辅助系统的逆变器电路。

 6. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站的电源模块中用作功率开关,支持稳定供电。
   - 信号放大器:在某些射频或音频放大器中,作为功率级输出元件。

 7. 其他应用
   - 太阳能微逆变器:用于小型光伏系统中的功率转换。
   - LED 驱动器:在高亮度 LED 照明中,用作恒流源的开关元件。

FQPF70N10 凭借其出色的电气性能(如低 Rds(on)、高耐压、低栅极电荷等),能够在多种应用中提供高效、可靠的解决方案。选择具体应用场景时,需根据实际需求评估其工作条件是否符合器件规格书的要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FMOSFET 100V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF70N10QFET®

数据手册

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产品型号

FQPF70N10

Pd-PowerDissipation

62 W

Pd-功率耗散

62 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

470 ns

下降时间

160 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 17.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

130 ns

功率-最大值

62W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

38 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

系列

FQPF70N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQPF70N10_NL

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