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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF50N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF50N06价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF50N06封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF50N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF50N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF50N06是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场合。其主要特点包括低导通电阻、高耐压(60V)和大电流承载能力(持续漏极电流可达50A),适合用于中高功率的电力电子系统。 该器件常见应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于提高转换效率和减小体积。 2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的控制电路中,实现高效、快速的开关控制。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源或太阳能逆变器中作为核心开关元件,实现能量的高效转换。 4. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具、LED照明驱动等,得益于其高可靠性和耐环境能力。 5. 工业自动化设备:用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制设备中的功率开关。 由于其良好的热稳定性和封装便于散热设计(常见的TO-262封装),FQPF50N06在需要高效率和高可靠性的应用中受到广泛欢迎。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 31A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF50N06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 15.5A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 47W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Tc) |