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  • 型号: BFG520/XR,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BFG520/XR,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BFG520/XR,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG520/XR,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG520/XR,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 300mW Surface Mount SOT-143R。您可以下载BFG520/XR,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG520/XR,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BFG520/XR,215是NXP USA Inc.生产的一款射频双极结型晶体管(BJT),属于高频、低噪声放大器应用的晶体管,广泛用于无线通信系统中。该器件具有优异的增益和噪声性能,工作频率范围宽,适合在数百MHz至数GHz频段内稳定工作。

典型应用场景包括:  
1. 无线基础设施:如蜂窝基站的低噪声放大器(LNA)和信号接收前端,提升接收灵敏度。  
2. 射频接收模块:应用于GPS、WLAN(Wi-Fi)、蓝牙和物联网(IoT)设备中的射频信号放大。  
3. 广播与通信设备:用于FM/AM接收机、数字电视调谐器等对噪声敏感的接收电路。  
4. 工业与汽车电子:在远程无线监控、车载通信模块和雷达传感器中提供可靠的高频放大功能。  

BFG520/XR,215采用SOT-343小型封装,便于高密度贴装,适合空间受限的便携式和嵌入式设备。其稳定的温度特性和高可靠性也使其适用于严苛环境下的长期运行。总体而言,该器件是一款高性能射频放大解决方案,适用于需要低噪声、高增益和良好线性度的现代通信系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG520/XR,215-

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产品型号

BFG520/XR,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 20mA,6V

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

SOT-143R

其它名称

568-6190-6

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

2.5 V

商标

NXP Semiconductors

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-143R

封装/箱体

SOT-143

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 175 C

最大直流电集电极电流

0.07 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

15V

电流-集电极(Ic)(最大值)

70mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

15 V

集电极连续电流

70 mA

零件号别名

BFG520/XR T/R

频率-跃迁

9GHz

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