Datasheet下载- 型号： BFU710F,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU710F,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU710F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU710F,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFU710F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU710F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU710F,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款高频双极结型晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大应用。该器件特别适用于需要高增益和低噪声性能的无线通信系统中，如蜂窝基站、无线基础设施设备和宽带射频放大器。 该晶体管在高频下具有良好的线性度和稳定性，因此常用于 GSM、UMTS、LTE 等移动通信标准中的功率放大模块。此外，它也可用于工业和医疗射频设备中的信号放大环节。 BFU710F,115 采用先进的技术设计，能够在宽频率范围内工作，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境下运行。其 SOT-343 封装形式有助于实现小型化和高密度电路布局，广泛应用于现代通信设备的设计中。 总之，BFU710F,115 主要用于高性能射频通信系统中的信号放大，特别是在需要高线性度与低噪声的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SOT343F-4射频双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU710F,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFU710F,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 568-8456-1 |
| 功率-最大值 | 136mW |
| 功率耗散 | 136 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 1 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作频率 | 110 GHz |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10mA |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 2.8 V |
| 集电极连续电流 | 10 mA |
| 频率 | 110 GHz |
| 频率-跃迁 | 43GHz |
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